英诺赛科港股上市：全球领先的氮化镓功率半导体独角兽半导体巨头、地方产业基金接连下注

　　12月30日，全球氮化镓功率半导体龙头英诺赛科不负众望，在港股成功上市。

　　英诺赛科成立于2017年，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

　　在技术水平的不断提升与努力创新下，英诺赛科近年来发展迅速，产品应用拓宽至多个行业。作为氮化镓功率半导体领域的龙头企业，英诺赛科此次成功登陆资本市场，有望进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。

　　市场定位准确、IDM模式成就产业龙头专注研发创新引领行业进步

　　立足于第三代半导体赛道，英诺赛科成立短短数年，便实现了收入规模的飞速增长。据招股书显示，2021-2024上半年英诺赛科实现营业收入分别为0.68亿元、1.36亿元、5.93亿元、3.86亿元，2022年以来分别同比增长99.6%、335.3%、25.2%。近年来连翻数倍的营收表现，标志着英诺赛科具备准确的市场定位与成熟的商业化模式。值得关注的是， 2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。同时，截至2024年6月30日，以折算氮化镓分立器件计，公司氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗，进一步巩固了其行业领导地位。

　　而在生产模式方面，英诺赛科采用的是集成器件制造商（IDM）模式，借此可自行把控由制成品设计、制造、包装、测试到销售的整个流程。全球前五大功率半导体公司均采用IDM模式，这一生产模式可以确保公司功率半导体产品质量的同时，也提供稳定的产能，通过迭代设计及工艺改进促进创新，同时也支持成本效益的规模扩张，让英诺赛科相比竞争对手具有明显先发优势。

　　由此来看，IDM模式更为迎合当下的产业需求，但也对公司的成本投入带来了较高的门槛。IDM模式需要公司在产能提升阶段投入大量资本及研发支出，但IDM模式在氮化镓功率半导体行业的长远优势远超过初始成本。

　　伴随着商业化进程，亏损规模已经明显收窄，从2021年的33.99亿元减少至2023年的11.02亿元，而2024上半年则进一步降至4.88亿元。更何况，亏损也主要源自实现规模经济之前生产设备的折旧、研发、营销开支等为长期盈利铺路的项目等。由此可见，公司的盈利能力已显著改善。

　　更值得关注的是，除了准确的市场定位之外，一直以来英诺赛科也非常注重技术投入、研发创新，不断迭代完善技术平台，其氮化镓功率半导体产品在多个行业实现了广泛应用，包括消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等。例如，在消费电子产品领域，英诺赛科的半导体产品能够显著提高各种消费电子产品的性能及效率、缩小尺寸，为消费者带来更便捷的体验；而在汽车电子领域，2021年英诺赛科就获得了IATF 16949车规级认证，其产品能够为自动驾驶车辆的LiDAR系统提供高功率和快速反应能力，实现更有效的汽车安全监测和更好的自动驾驶体验。

　　在这背后，是英诺赛科始终不吝研发投入，近三年半时间累计研发投入超17亿元，截至2024上半年拥有304名研发人员，其中大部分是半导体行业的资深人士，在技术及材料创新方面拥有深厚专业知识。截至2024年6月30日，英诺赛科在全球有约319项专利及430项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。在强大资源的带动下，英诺赛科每一代新的技术平台都会带来30%的产品性能提升和生产成本降低，包括产品关键性能指标的提升，产品现已从消费级迈向工业级，逐步向车规级迈进。

　　以收入计全球第一市场份额33.7% 知名半导体巨头、地方产业基金助阵

　　英诺赛科的业务方向从根本上决定了其未来发展的潜力，在如今高速发展的高算力时代，如何优化能源使用效率成为关键。

　　与传统的硅基器件相比，氮化镓具有带隙宽、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压及耐高温能力更强等综合优势。更宽的带隙使氮化镓能够在更高的电压下运作，而更高的电子迁移率可增强电流驱动能力及反应速度，显著减少了热散失并提高了功率效率。在如今AI时代催生巨量算力需求的背景下，更高频、高效、绿色节能的氮化镓无疑将成为功率半导体未来行业变革的核心。

　　根据弗若斯特沙利文的数据，2023年，氮化镓功率半导体的市场规模为人民币18亿元，占全球功率半导体市场的0.5%，伴随着技术的愈发成熟以及下游应用范围更加广泛，2023年被视为氮化镓行业录得指数级增长的开局之年。预计到2028年，全球氮化镓功率半导体的市场规模将达人民币501亿元，将占据市场份额的10.1%。

　　不仅行业本身极具前景，英诺赛科也已经在赛道中占据领先优势。根据弗若斯特沙利文的数据显示，2023年英诺赛科来自氮化镓功率半导体业务的收入为5.93亿元，在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名首位，市场份额达33.7%，而同期前五大公司的市场份额合计为92.8%。更何况，英诺赛科还是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

　　赛道前列的稀缺标的，自然广受资本追捧。

　　上市之前，英诺赛科在一级市场上就备受资本热捧，各路公司、机构及企业家的争相加入，是英诺赛科极具投资价值的有力证明。2017年公司成立以来，英诺赛科获得过5轮融资，背后集结了朗玛峰创投、招银国际、华业天成、中天汇富、毅达资本等知名机构，仅D轮融资款项就接近30亿元。同时，英诺赛科还曾在2021年获得过宁德时代董事长曾毓群个人名义的2亿元投资，而这也是曾毓群首次以个人身份投资半导体公司。E轮融资后，英诺赛科的估值达300亿港元。

　　而在上市前夕，英诺赛科还引入了4大基石投资者，分别是STMicroelectronics Limited（意法半导体子公司）、江苏国企混改基金、苏州高端装备、东方创联，分别认购了5000万美元、2500万美元、1250万美元、1250万美元。来自全球知名半导体巨头与国家地方产业基金的支持，为英诺赛科登陆港股市场带来了更大信心。